Micron mostra DDR6 com o dobro da banda do DDR5 e LPDDR6 com 35% mais eficiência

Em apresentação de roadmap, a fabricante também falou de DRAM 1δ, HBM vertical, módulos RDIMM de 1 TB e NAND G11 com mais de 400 camadas.

Por Redação Capital Gamer · · 2 min de leitura
Pacote de memória Micron com chips dourados sobre base metálica, em fundo preto com reflexo no piso

Imagem: reprodução/Wccftech

A Micron apresentou seu roadmap de memória DRAM e NAND e confirmou que o DDR6 terá mais que o dobro da largura de banda do DDR5, enquanto o LPDDR6 consome mais de 35% menos energia que o LPDDR5. As informações são do Wccftech.

Os dois padrões serão feitos no nó 1δ (1-Delta) de DRAM, sucessor da geração anterior da empresa. A produção em volume do 1δ está prevista para o segundo semestre de 2027, com ganho de densidade de bits na casa dos 25% e fabricação nos Estados Unidos.

DDR6, LPDDR6 e RDIMM de 1 TB

O DDR6 mira servidores, e a Micron diz querer liderar a adoção do padrão junto a clientes-chave. O LPDDR6 vai para data centers e celulares. A empresa afirma que o ganho de eficiência passa de 35% em algumas densidades, e que já trabalha com a Meta para usar o LPDDR6 em data centers futuros.

A próxima geração de módulos RDIMM terá 1 TB. A Micron o descreve como o de maior capacidade do setor.

HBM vertical

O HBM4 de 12 camadas, com 36 GB, entra em volume em 2026 e chega a 2,8 TB/s por pilha. HBM5, HBM5E e HBM6 estão previstos para 2028, 2029 e 2030.

Em paralelo vem o vHBM, que empilha a memória diretamente sobre o die de computação. O caminho entre memória e processamento fica mais curto, o que aumenta a banda por watt. O vHBM1 está previsto para cerca de 2028 e o vHBM3 para 2030. Já o vEIM, memória vertical para inferência na borda, mira 2 TB/s por módulo e menos de 1 pJ por bit, a partir de 2028.

A empresa também começa a desenvolver DRAM 3D, com a primeira geração planejada logo depois dos primeiros produtos em High-NA EUV.

NAND G11 passa de 400 camadas

O G9 já está em escala e o G11 será seu sucessor, com wafer-on-wafer bonding e mais de 400 camadas. Segundo a Micron, ele dobra a densidade de bits do G9, chega a 1,5 vez a velocidade de I/O e gasta mais de 25% menos energia por transferência de dados. O volume começa no segundo semestre de 2027.

A Micron justifica a pressa pela demanda: segundo a empresa, a IA agêntica elevou em 30 vezes o consumo de memória frente à inferência comum, e a IA física deve levar o crescimento a mais de 10 vezes.

Todo o material tem foco em servidores e IA. A Micron não falou de módulos DDR6 para PCs de consumo nesta apresentação.

Fonte: Wccftech. Texto produzido com apoio de inteligência artificial a partir da fonte citada e revisado pela redação.

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